用于白光的LED大功率芯片一般在市场上可以看到的都在40mil左右，所谓的大功率芯片的使用功率一般是指电功率在1W以上。
由于量i子效率一般小于20%大部分电能会转换成热能，所以大功率芯片的散热很重要，要求芯片有较大的面积。
制造GaN外延材料的芯片工艺和加工设备与GaP、GaAs、InGaAlP相比有哪些不同的要求?为什么?
普通的LED红黄芯片和高亮四元红黄芯片的基板都采用GaP、GaAs等化合物半导体材料，一般都可以做成N型衬底。
采用湿法工艺进行光刻，较为后用金刚砂轮刀片切割成芯片。
GaN材料的蓝绿芯片是用的蓝宝石衬底，由于蓝宝石衬底是绝缘的，所以不能作为LED的一个极，必须通过干法刻蚀的工艺在外延面上同时制作P/N两个电极并且还要通过一些钝化工艺。由于蓝宝石很硬，用金刚砂轮刀片很难划成芯片。
它的工艺过程一般要比GaP、GaAs材料的LED多而复杂。
LED芯片的分类有哪些呢？
MB芯片定义与特点
定义：Metal Bonding(金属粘着)芯片;该芯片属于UEC的专i利产品。
特点：
(1)采用高散热系数的材料---Si作为衬底，散热容易。Thermal Conductivity;GaAs：46W/m-K;GaP：77W/m-K;Si：125～150W/m-K;Cupper:300~400W/m-k;SiC：490W/m-K。
(2)通过金属层来接合(wafer bonding)磊晶层和衬底，同时反射光子，避免衬底的吸收。
(3)导电的Si衬底取代GaAs衬底，具备良好的热传导能力(导热系数相差3~4倍)，更适应于高驱动电流领域。
(4)底部金属反射层，有利于光度的提升及散热。
(5)尺寸可加大，应用于High power领域，eg:42mil MB。
2003年6月中国科技部首i次提出我国发展半导体照明，标志着我国半导体照明项目正式启动。
2006年的“十一五”将半导体照明工程作为国家的一个重大工程进行推动，在国家政策和资金的倾斜支持下，2010年我国LED产业规模超1500亿元。
2011年国家发改委正式发布中国淘汰白炽灯的政府公告及路线图，明确提出2016年将全i面禁止白炽灯的销售。2011年至2016年为淘汰白炽灯的过渡期，同时也是LED照明行业的快速发展期。
中国LED产业起步阶段，芯片主要依赖进口。近年来，在国家政府政策支持下，我国LED芯片厂商加大研发投入，国内LED芯片行业发展迅速，产能逐渐向中国大陆转移，2017年国内LED芯片供过于求苗头初现，主流芯片厂开始转向高i端产能并进行扩产。
经过多年的发展，中国ＬＥＤ产业链日趋完善。但赛迪顾问半导体产业研究中心分析师王莹日前向记者表示，纵观ＬＥＤ产业链条，由于上游产业对技术和资金的要求较高，导致国内企业涉足，因此上游产业存在企业数量少、规模小的特点。相比之下，下游封装和应用对企业提出的资金和技术要求相对较低，恰好与国内企业资金少、技术弱的特点相匹配，因此，国内从事封装和应用的企业数量较多。这种局面导致国内ＬＥＤ产业多以低端产品为主，企业长期面临严峻的价格压力。
据记者了解，目前，随着国家半导体照明工程的启动，ＬＥＤ产业发展“一头沉”的状态正在发生改变，ＬＥＤ上游产业得到了较快发展，其中芯片产业发展为引人注目。但从产业规模看，封装仍是ＬＥＤ产业中产业链环节。２００６年我国ＬＥＤ产业总产值达到１０５．５亿元，其中封装产业产值达８７．５亿元。王莹分析认为，不断扩大的市场需求以及政府的大力支持是保证ＬＥＤ产业发展的有利因素。近几年，诸如显示屏、景观照明、交通指示灯、汽车应用、背光源等ＬＥＤ应用市场迅速兴起。新兴应用市场对ＬＥＤ发光效率要求的不断提升催生了对中产品的需求。随着市场需求的增大，ＬＥＤ芯片产业产品升级步伐逐渐加快，ＬＥＤ芯片产品将整体走向。另一方面，ＬＥＤ封装产业的快速发展，也为ＬＥＤ芯片提供了广阔的市场需求，进而为ＬＥＤ产业的发展提供了良好的外部环境。
以上信息由专业从事led外延片报价的杰生半导体于2025/1/9 15:48:48发布
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