制备SIC粉末方法较多，如机械粉碎法、激光合成法、等许多领域的应用越来越广泛，需求也越来越多。目前，制备SIC粉末方法较多，这个咱们在以前的新闻内容中也提到了许多工艺，在众多方法当中，机械粉碎法因其制备工艺简单，投资小、成本低、产量达，目前仍然是制备氮化硅微粉的主要方法。我国工业氮化硅仅以磨料用途为主。其中绿氮化硅具有较高的硬度和一定的韧性，多用于磨加工光学玻璃，硬质合金，钛合金以及轴承钢的研磨抛光，高速具的刃磨等；黑氮化硅多用于切割和研磨抗张强度低的材料。氮化硅耐火材料是以氮化硅为原料和主晶相的耐火制品。因为氮化硅耐火制品的原料和主晶相主要是氮化硅，所以制品的许多性质都取决于氮化硅的性质。这类耐火制品中，氮化硅为瘠性料，一定要由结合剂将其黏结为整体，故结合剂的性质和粘结形式对制品的性质有相当大的影响。
BeO陶瓷基板虽然具有较高的热导率和较低的介电常数，满足散热的要求，但是由于其具有毒性，对工作人员的健康产生影响，不利于大规模应用。AlN陶瓷具有较高的热导率，被认为是散热基板的候选材料。但AlN陶瓷抗热震性能差，易潮解，强度韧性较低，不利于在复杂的环境中工作，难以保证其应用的可靠性。SiC陶瓷虽然具有很高的热导率，但是由于其具有较高的介电损耗和较低的击穿电压，不利于应用在高频高压的工作环境中。
氮化硅是国内外公认兼具高导热、高可靠性等综合性能的陶瓷基板材料。尽管Si3N4陶瓷基板具有略低于AlN的导热性，但其抗弯强度、断裂韧性都可达到AlN的2倍以上;同时，Si3N4陶瓷的热导率远大于Al2O3陶瓷;此外，Si3N4陶瓷基板的热膨胀系数与第3代半导体衬底SiC晶体接近，使其能够与SiC晶体材料匹配性更稳定。这使Si3N4成为第3代SiC半导体功率器件高导热基板材料的。
氮化硅是一种重要的结构陶瓷材料。它是一种超硬物质，本身具有润滑性，并且耐磨损，为原子晶体；高温时化。而且它还能抵抗冷热冲击，在空气中加热到1000℃以上，急剧冷却再急剧加热，也不会碎裂。正是由于氮化硅陶瓷具有如此优异的特性，人们常常利用它来制造轴承、气轮机叶片、机械密封环、性模具等机械构件。如果用耐高温而且不易传热的氮化硅陶瓷来制造发动机部件的受热面，不仅可以提高柴油机质量，节省燃料，而且能够提高热效率。我国及美国、日本等国家都已研制出了这种柴油机。
相对分子质量140.28。灰色、白色或灰白色。属高温难溶化合物，无熔点，抗高温蠕变能力强，不含粘结剂的反应烧结氮化硅负荷软化点在1800℃以上；六方晶系。晶体呈六面体。反应烧结法制得的Si3N4密度为1.8~2.7g/cm3，热压法制得Si3N4密度为3.12~3.22g/cm3。莫氏硬度9~9.5，维氏硬度约为2200，显微硬度为32630MPa。熔点1900℃（加压下）。通常在常压下1900℃左右分解。比热容0.71J/(g·K)。生成热为-751.57kJ/mol。热导率为（2-155）W/(m·K)。线膨胀系数为2.8~3.2×10-6/℃(20~1000℃)。不溶于水。溶于。在空气中开始氧化的温度1300~1400℃。比体积电阻，20℃时为1.4×105 ·m,500℃时为4×108 ·m。弹性模量为28420~46060MPa。耐压强度为490MPa（反应烧结的）。1285℃时与二氮化二钙反应生成二氮硅化钙，600℃时使过渡金属还原，放出氮氧化物。抗弯强度为147MPa。可由硅粉在氮气中加热或卤化硅与氨反应而制得。电阻率在10^15-10^16Ω.cm。可用作高温陶瓷原料。
以上信息由专业从事回收氮化硅废砖用途的佰润商贸于2024/3/27 9:44:30发布
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